Выберите язык: RU EN

 Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET

ПроизводительManufacturer
Очистить
СерияSeries
Тип полевого транзистораFET Type
Напряжение туннельного пробоя (V(BR)GSS)Voltage - Breakdown (V(BR)GSS)
Напряжение сток-исток ( (Vdss)Drain to Source Voltage (Vdss)
Ток утечки (Idss) @ Vds (Vgs=0)Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)
Ток утечки (Id) - МаксCurrent Drain (Id) - Max
Напряжение отсечки (VGS off) @ IdVoltage - Cutoff (VGS off) @ Id
Входная емкость (Ciss) @ VdsInput Capacitance (Ciss) @ Vds
Сопротивление в режиме насыщения (RDS)Resistance - RDS(On)
Вид монтажаMounting Type
КорпусPackage / Case
Исполнение корпусаSupplier Device Package
Рассеивание мощностиPower - Max
Сбросить фильтр
Найдено 2 позиции
 
Внешний вид
Маркировка / Производитель
О товаре


IGBT 1000V TO247-3
Подробнее


IGBT 700V TO247-3
Подробнее

Все производители

Производители
  1. 0-9
  2. A
  3. B
  4. C
  5. D
  6. E
  7. F
  8. G
  9. H
  10. I
  11. J
  12. K
  13. L
  14. M
  15. N
  16. O
  17. P
  18. Q
  19. R
  20. S
  21. T
  22. U
  23. V
  24. W
  25. X
  26. Y
  27. Z
  • REVELTRONICS
  • FARNELL
  • SWANN-MORTON
  • SWITRONIC
  • Abracon Corporation
  • Exor America
  • Kamaya Inc
  • TE CONNECTIVITY/DEUTSCH
  • Fischer Elektronik GmbH & Co KG
  • Ampleon
  • CREALITY 3D
  • Tempo Communications Inc
  • MiTAC International Corporation
  • GigaDevice Semiconductor (Beijing) Inc
  • TIMEGUARD
  • Suzhou Good-Ark Electronics Co Ltd
  • FDK Fuji Electromechanical
  • Micro Commercial Co
  • Olympic Wire & Cable Corp
  • SCS

«ЭИК» - Cамый большой в России ассортимент электронных компонентов

Ассортимент

Всегда в наличии более
100 000 наименований
электронных компонентов

Сертификаты

Система управления качеством
по стандарту ИСО 9001:2008

Доставка

Экспресс доставка электронных
компонентов из США, Азии и Европы
от 5 дней

Эффективность

Быстрый ответ на ваши запросы,
снизим затраты вашей компании
на закупки электронных компонентов