Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
A2G26H281-04SR3
A2G26H281-04SR3

A2G26H281-04SR3

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Артикул:
    A2G26H281-04SR3
  • Описание:
    Транзистор: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTORВсе характеристики

Минимальная цена A2G26H281-04SR3 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить A2G26H281-04SR3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики A2G26H281-04SR3

  • Тип транзистора
    LDMOS
    Тип транзистора LDMOS
  • Частота
    2.496GHz ~ 2.69GHz
    Частота 2.496GHz ~ 2.69GHz
  • Усиление
    14.2dB
    Усиление 14.2dB
  • Тестовое напряжение
    48 V
    Тестовое напряжение 48 V
  • Тестовый ток
    150 mA
    Тестовый ток 150 mA
  • Мощность передачи
    50W
    Мощность передачи 50W
  • Нормальное напряжение
    125 V
    Нормальное напряжение 125 V
  • Корпус
    NI-780S-4L
    Корпус NI-780S-4L
  • Исполнение корпуса
    NI-780S-4L
    Исполнение корпуса NI-780S-4L
  • Base Product Number
    A2G26
    Base Product Number A2G26
Техническая документация
 A2G26H281-04SR3.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Артикул:
    A2G26H281-04SR3
  • Описание:
    Транзистор: AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTORВсе характеристики

Минимальная цена A2G26H281-04SR3 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить A2G26H281-04SR3 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики A2G26H281-04SR3

  • Тип транзистора
    LDMOS
    Тип транзистора LDMOS
  • Частота
    2.496GHz ~ 2.69GHz
    Частота 2.496GHz ~ 2.69GHz
  • Усиление
    14.2dB
    Усиление 14.2dB
  • Тестовое напряжение
    48 V
    Тестовое напряжение 48 V
  • Тестовый ток
    150 mA
    Тестовый ток 150 mA
  • Мощность передачи
    50W
    Мощность передачи 50W
  • Нормальное напряжение
    125 V
    Нормальное напряжение 125 V
  • Корпус
    NI-780S-4L
    Корпус NI-780S-4L
  • Исполнение корпуса
    NI-780S-4L
    Исполнение корпуса NI-780S-4L
  • Base Product Number
    A2G26
    Base Product Number A2G26
Техническая документация
 A2G26H281-04SR3.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    PTVA101K02EV-V1-R250Транзистор: RF DEVELOPMENT TOOLS
    BLP15H9S100GZТранзистор: BLP15H9S100G/SOT1483/REELDP
    BLC9G15LS-400AVTZТранзистор: RF FET LDMOS 65V 16DB SOT12583
    MMRF5017HSR5Транзистор: RF MOSFET HEMT 50V NI400S-2S
    PTVA123501FC-V1-R0Транзистор: IC AMP RF LDMOS H-37248-2
    2SJ659-DL-EPCH 4V DRIVE SERIES
    MWT-PH27FТранзистор: TRANS ALGAAS/INGAAS PHEMT
    30A01M-TL-EBIP PNP 0.3A 30V
    2SK772EN-CHANNEL JUNCTION SILICON FET
    BLP0427M9S20ZТранзистор: BLP0427M9S20Z/SOT1482/REELDP
    FW4604-TL-2WXТранзистор: NCH+PCH 4.5V DRIVE SERIES
    NTA4153NT1HТранзистор: NFET SC75 20V 915MA TR
    BLF13H9LS750PUТранзистор: BLF13H9LS750P/SOT539/TRAY
    B10G3741N55DZТранзистор: IC 28V LDMOS RF SOT1462-1
    BFL4036-SNCH 10V DRIVE SERIES
    CPH5811-TL-ENCH+SBD 1.8V DRIVE SERIES
    CGHV96130F-AMPТранзистор: 8.4-9.6GHZ, AMP W/ CGHV96100F2
    BLF1046Транзистор: RF PFET, 1-ELEMENT, ULTRA HIGH F
    GTRA364002FC-V1-R2Транзистор: 400W, GAN HEMT, 48V, 3400-3600MH
    BLC9H10XS-505AZТранзистор: RF MOSFET

Мы рекомендуем

Все товары
Мы рекомендуем
    IGBT транзисторы
    Диодные мосты
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Диоды - мостовые выпрямители
    Тиристоры - TRIACs
    Симисторы - Модули
    Диоды силовые
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Транзисторы - IGBT - модули
    Диоды - выпрямители - массивы
    Принадлежности
    Транзисторы - JFET
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Варикапы и Варакторы
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Полевые транзисторы - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Драйверы питания - Модули
    Симисторы
    Транзисторы - Специального назначения
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Модули драйверов питания
    Транзисторы - программируемые однопереходные
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диодные мосты - Модули
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - Модули
    Биполярные транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП