Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва

Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru
ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
BSL207SPL6327HTSA1

BSL207SPL6327HTSA1

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.

Минимальная цена BSL207SPL6327HTSA1 при покупке от шт 0 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSL207SPL6327HTSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BSL207SPL6327HTSA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    6A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    41mOhm @ 6A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.2V @ 40µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1007 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TSOP6-6
  • Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Техническая документация
4882453.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

Минимальная цена BSL207SPL6327HTSA1 при покупке от шт 0 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSL207SPL6327HTSA1 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BSL207SPL6327HTSA1

  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    6A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    41mOhm @ 6A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.2V @ 40µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    20 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1007 pF @ 15 V
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TSOP6-6
  • Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Техническая документация
4882453.pdf
pdf. 0 kb