BSM100GB170DN2HOSA1

BSM100GB170DN2HOSA1

Минимальная цена BSM100GB170DN2HOSA1 при покупке от шт ₽/шт. Итоговая стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSM100GB170DN2HOSA1 можно банковской картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BSM100GB170DN2HOSA1

  • Серия
    -
  • Package
    Tray
  • Тип IGBT
    -
  • Конфигурация
    Half Bridge
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1700 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    145 A
  • Рассеивание мощности
    1000 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    3.9V @ 15V, 100A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1 mA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    16 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    No
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    Module
  • Исполнение корпуса
    Module
Техническая документация
 4882386.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Минимально и кратно шт