BSM150GB170DN2HOSA1

BSM150GB170DN2HOSA1

  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    BSM150GB170DN2HOSA1
  • Описание:
    Транзистор: IGBT MOD 1700V 220A 1250WВсе характеристики

Минимальная цена BSM150GB170DN2HOSA1 при покупке от 3 шт 30995 ₽/шт. Итоговая стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSM150GB170DN2HOSA1 можно банковской картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BSM150GB170DN2HOSA1

  • Серия
    -
  • Package
    Tray
  • Тип IGBT
    -
  • Конфигурация
    Half Bridge
  • Напряжение пробоя коллектор-эмиттер
    1700 V
  • Максимальный Ток Коллектора (Ic)
    220 A
  • Рассеивание мощности
    1250 W
  • Vce(on) (Макс) @ Vge, Ic
    3.9V @ 15V, 150A
  • Обратный ток коллектора (Max)
    1.5 mA
  • Входная емкость (Cies) @ Vce
    20 nF @ 25 V
  • Вход
    Standard
  • NTC термистр
    No
  • Рабочая температура
    150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Корпус
    Module
  • Исполнение корпуса
    Module
Техническая документация
 4863126.pdf
pdf. 0 kb
  • 24 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 3+
    30 995

Минимально и кратно 3 шт