BSP170PE6327T

BSP170PE6327T

Минимальная цена BSP170PE6327T при покупке от шт ₽/шт. Итоговая стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BSP170PE6327T можно банковской картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BSP170PE6327T

  • Серия
    SIPMOS®
  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1.9A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    300mOhm @ 1.9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    14 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    410 pF @ 25 V
  • Особенности полевого транзистора
    -
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.8W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-SOT223-4
  • Корпус
    TO-261-4, TO-261AA
Техническая документация
 8075922.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Минимально и кратно шт