C3M0015065K

C3M0015065K

Минимальная цена C3M0015065K при покупке от 1 шт 10842 ₽/шт. Итоговая стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить C3M0015065K можно банковской картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики C3M0015065K

  • Серия
    C3M™
  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    SiCFET (Silicon Carbide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    120A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    15V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    21mOhm @ 55.8A, 15V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3.6V @ 15.5mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    188 nC @ 15 V
  • Vgs (Max)
    +15V, -4V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    5011 pF @ 400 V
  • Особенности полевого транзистора
    -
  • Рассеивание мощности (Макс)
    416W (Tc)
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247-4L
  • Корпус
    TO-247-4
  • Base Product Number
    C3M0015065
Техническая документация
 8020918.pdf
pdf. 0 kb
  • 946 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1+
    10 842
  • 30+
    9 085
  • 120+
    8 480

Минимально и кратно 1 шт