FDD5N50TM_WS

FDD5N50TM_WS

Минимальная цена FDD5N50TM_WS при покупке от 2000 шт 84 ₽/шт. Итоговая стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FDD5N50TM_WS можно банковской картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики FDD5N50TM_WS

  • Серия
    UniFET™
  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.4Ohm @ 2A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    15 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    640 pF @ 25 V
  • Особенности полевого транзистора
    -
  • Рассеивание мощности (Макс)
    40W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-252AA
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    FDD5N50
Техническая документация
 1488442.pdf
pdf. 0 kb
  • 17350 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 2000+
    84

Минимально и кратно 2000 шт