CDEK

Additional Resources

Super Admin

onsemi

<p>Массивы полевых транзисторов (FETs) и металл-оксидных полевых транзисторов (MOSFETs) представляют собой интегрированные схемы, содержащие несколько FET или MOSFET транзисторов в одном корпусе. Эти массивы обеспечивают улучшенное управление мощностью и сигналом в различных приложениях, позволяя одновременное управление несколькими каналами.</p>
<Strong>Ключевые характеристики массивов FETs и MOSFETs включают:</Strong>
<ul>
<li>максимальное напряжение сток-исток (Vds). Максимальное напряжение, которое может быть приложено между стоком и истоком транзисторов;</li>
<li>максимальный ток стока (Id). Максимальный ток, который может протекать через сток каждого транзистора в массиве;</li>
<li>пороговое напряжение (Vgs(th)). Напряжение на затворе, при котором транзистор начинает проводить;</li>
<li>сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)). Сопротивление между стоком и истоком при полностью открытом транзисторе.</li>
</ul>
<h3>Применение массивов FETs и MOSFETs</h3>
<p>Массивы FET (полевых транзисторов) и MOSFET (металл-оксид-полупроводниковых полевых транзисторов) обеспечивают эффективное управление и переключение в разнообразных электронных системах. В области управления мощностью эти компоненты используются для контроля мощных нагрузок, что важно в системах питания и управления освещением, где они позволяют регулировать и распределять мощность эффективно и надежно.</p>
<p>В цифровой логике массивы FETs и MOSFETs служат переключателями, обеспечивая основу для работы логических схем и интерфейсов, позволяя строить сложные логические структуры и обеспечивая высокую скорость и надежность работы цифровых устройств. Для управления моторами и реле эти транзисторы предоставляют возможность управления несколькими устройствами одновременно, что критически важно в различных устройствах и промышленных системах, где требуется точное и надежное управление механическими компонентами.</p>
<h3>Интеграция и использование</h3>
<p>При интеграции массивов FETs и MOSFETs в электронные устройства важно учитывать их рабочие характеристики и требования к управлению. Необходимо обеспечить соответствующее управляющее напряжение и ток для надежного включения и выключения транзисторов в массиве. Также следует учитывать тепловое управление, особенно в приложениях с высокой мощностью, для предотвращения перегрева и повышения надежности и долговечности устройства.</p>

Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 38A (Ta), 167A (Tc) 2.3W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount 8-Power 5x6

FDMD8630

FDMD8630

Характеристики FDMD8630