FQD4N25TM-WS транзистор полевой, N-канал, 250В, 3А, 2.5Вт

Маркировка FQD4N25TM-WS, производитель ON Semiconductor

• MOSFET N-канальный: Структура MOSFET позволяет эффективно контролировать ток между полюсами.
• Номинальное напряжение (V_DS(on)): 250В - Максимальное напряжение, которое может выдерживать MOSFET при открытом канале.
• Разрядный ток (I_D): 3А - Максимальный ток, который может проходить через MOSFET при заданном напряжении.
• Пакет DPAK: Удобный для монтажа формат, обеспечивает надежное соединение с печатной платой.

Плюсы:

• Высокая проводимость при низком напряжении на входе (низкий R_DS(on))
• Устойчивость к электрическим разрядам
• Надежность и долговечность

Минусы:

• Не подходит для высокочастотных применений из-за индуктивности корпуса
• Требует дополнительного охлаждения при больших нагрузках

Общее назначение:

• Используется в различных электронных устройствах для управления током
• Применяется в системах питания, преобразователях энергии, драйверах для ламп и LED
• Подходит для применения в автомобильной электронике, бытовой технике и других устройствах