Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Диоды - выпрямители - массивы
GB2X100MPS12-227
GB2X100MPS12-227

GB2X100MPS12-227

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Производитель:
    GENESIC SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    GB2X100MPS12-227
  • Описание:
    SIC DIODE 1200V 200A SOT-227Все характеристики

Минимальная цена GB2X100MPS12-227 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GB2X100MPS12-227 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики GB2X100MPS12-227

  • Package
    Tube
    Package Tube
  • Конфигурация диода
    2 Independent
    Конфигурация диода 2 Independent
  • Тип диода
    Silicon Carbide Schottky
    Тип диода Silicon Carbide Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    1200 V
    Максимальное обратное напряжение (Vr) 1200 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод)
    185A (DC)
    Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод) 185A (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.8 V @ 100 A
    Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If 1.8 V @ 100 A
  • Скорость
    No Recovery Time > 500mA (Io)
    Скорость No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    0 ns
    Время восстановления запорного слоя (trr) 0 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    80 µA @ 1200 V
    Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) 80 µA @ 1200 V
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C
    Рабочая температура pn-прехода -55°C ~ 175°C
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
    Вид монтажа Chassis Mount
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
    Корпус SOT-227-4, miniBLOC
  • Исполнение корпуса
    SOT-227
    Исполнение корпуса SOT-227
  • Base Product Number
    GB2X100
    Base Product Number GB2X100
Техническая документация
 GB2X100MPS12-227.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Производитель:
    GENESIC SEMICONDUCTOR
  • Артикул:
    GB2X100MPS12-227
  • Описание:
    SIC DIODE 1200V 200A SOT-227Все характеристики

Минимальная цена GB2X100MPS12-227 при покупке от 1 шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить GB2X100MPS12-227 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики GB2X100MPS12-227

  • Package
    Tube
    Package Tube
  • Конфигурация диода
    2 Independent
    Конфигурация диода 2 Independent
  • Тип диода
    Silicon Carbide Schottky
    Тип диода Silicon Carbide Schottky
  • Максимальное обратное напряжение (Vr)
    1200 V
    Максимальное обратное напряжение (Vr) 1200 V
  • Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод)
    185A (DC)
    Cреднее значение выпрямленного тока (Io) (на один диод) 185A (DC)
  • Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If
    1.8 V @ 100 A
    Прямое напряжение (Vf) (Макс) @ If 1.8 V @ 100 A
  • Скорость
    No Recovery Time > 500mA (Io)
    Скорость No Recovery Time > 500mA (Io)
  • Время восстановления запорного слоя (trr)
    0 ns
    Время восстановления запорного слоя (trr) 0 ns
  • Ток утечки при Обратном напряжении (Vr)
    80 µA @ 1200 V
    Ток утечки при Обратном напряжении (Vr) 80 µA @ 1200 V
  • Рабочая температура pn-прехода
    -55°C ~ 175°C
    Рабочая температура pn-прехода -55°C ~ 175°C
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
    Вид монтажа Chassis Mount
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
    Корпус SOT-227-4, miniBLOC
  • Исполнение корпуса
    SOT-227
    Исполнение корпуса SOT-227
  • Base Product Number
    GB2X100
    Base Product Number GB2X100
Техническая документация
 GB2X100MPS12-227.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    BAT54CW_R1_00001Диод: SOT-323, SKY
    MBR60150PT_T0_00001TO-3P, SKY
    SBM2045VFCT_T0_00001ITO-220AB, SKY
    MBR2045CT_T0_00001TO-220AB, SKY
    RBQ20NS45AFHTLDIODE (RECTIFIER FRD) 45V-VRM 45
    BAS70-04 RFGDIODE ARRAY GP 70V 70MA SOT23
    MURS1660FCTA-BP16A/600V FRED RECTIFIERS,ITO-220
    VS-HFA08TA60CS-M3DIODE ARRAY GP 600V 8A D2PAK
    TSF40L45CDIODE ARRAY SCHOTT 45V ITO220AB
    BAV23CCДиод: DIODE SOT-23 250V 0.22A 50NS
    RB088BM100TLSUPER LOW IR, 100V, 10A, TO-252
    RR274EA-400FHTRRECTIFIER DIODE (AEC-Q101 QUALIF
    CMKD7000 TR PBFREEDIODE SWITCHING 100V SOT363
    CSHDD16-100C TR13 PBFREEDIODE ARRAY SCHOTTKY 100V D2PAK
    MER1602CT_T0_00601Диод: 200V,SUPER FAST RECOVERY RECTIFI
    STPS240H100TV1YAUTOMOTIVE 100 V, 2X120A, POWER
    V20DM150C-M3/IDIODE ARRAY SCHOTT 150V TO263AC
    BAS4006WE6327SCHOTTKY DIODE
    BAW56DWQ-7-FDIODE GEN PURP 75V 150MA SOT-363
    BAW156HYT116Транзистор: LOW-LEAKAGE, 80V, 215MA, SOT-23,

Похожие категории

Все товары
Похожие категории
    Варикапы и Варакторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Диоды выпрямительные - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Диоды - мостовые выпрямители
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Диоды - выпрямители - массивы
    Принадлежности
    Биполярные транзисторы
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
    Диодные мосты
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Модули драйверов питания
    Полевые транзисторы - Модули
    Тиристоры - TRIACs
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Транзисторы - JFET
    Диодные мосты - Модули
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Полевые транзисторы - Сборки
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Драйверы питания - Модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Транзисторы - Модули
    Тиристоры - SCR
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    IGBT транзисторы
    Диоды - ВЧ
    Высокочастотные диоды
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы - IGBT - модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    Диоды силовые
    Симисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - Специального назначения
    Симисторы
    Тиристоры - SCR - модули
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП