CDEK

Additional Resources

Tape & Reel (TR) / Cut Tape (CT)

Super Admin

Infineon Technologies

<p>Одиночные полевые транзисторы (Field-Effect Transistors, FETs), включая металл-оксидные полупроводниковые транзисторы (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors, MOSFETs), являются ключевыми компонентами в современной электронике. Они управляются напряжением и используются для усиления или переключения электронных сигналов.</p>
<Strong>Ключевые характеристики одиночных FETs и MOSFETs включают:</Strong>
<ul>
<li>максимальное напряжение сток-исток (Vds). Максимальное напряжение, которое может быть приложено между стоком и истоком;</li>
<li>ток стока (Id). Максимальный ток, который может протекать через сток при определенном напряжении сток-исток;</li>
<li>пороговое напряжение (Vth). Минимальное напряжение затвор-исток, необходимое для начала проводимости канала;</li>
<li>сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)). Сопротивление между стоком и истоком, когда транзистор полностью открыт;</li>
<li>скорость переключения. Время, необходимое для переключения между открытым и закрытым состояниями.</li>
</ul>
<h3>Применение одиночных FETs и MOSFETs</h3>
<Strong>Одиночные FETs и MOSFETs широко используются в различных областях электроники:</Strong>
<ul>
<li>усилители. Используются в аудиоусилителях, радиочастотных усилителях и буферных усилителях для усиления сигналов;</li>
<li>переключающие устройства. В источниках питания, цифровых схемах и как переключатели нагрузки;</li>
<li>регуляторы напряжения и тока. В линейных и импульсных регуляторах для управления напряжением и током;</li>
<li>системы защиты. В качестве защитных ключей для защиты цепей от перегрузки по току.</li>
</ul>
<h3>Интеграция и использование</h3>
<p>При интеграции одиночных FETs и MOSFETs в схемы важно учитывать их рабочие параметры, включая напряжение, ток и скорость переключения, чтобы обеспечить надежную и эффективную работу.</p>
<p>Также необходимо обеспечить адекватный теплоотвод, особенно для мощных приложений, чтобы избежать перегрева. Выбор подходящего транзистора с правильным пороговым напряжением и соответствующим сопротивлением в открытом состоянии позволяет оптимизировать схему для нужных приложений, улучшая эффективность и надежность устройства.</p>
<p>Использование одиночных FETs и MOSFETs предоставляет разработчикам гибкие и мощные инструменты для создания разнообразных электронных устройств и систем, от простых переключателей до сложных аналоговых и цифровых схем.</p>

IMW65R030M1HXKSA1

IMW65R030M1HXKSA1

Характеристики IMW65R030M1HXKSA1