IPD200N15N3GATMA1

IPD200N15N3GATMA1

  • Производитель:
    Infineon Technologies
  • Артикул:
    IPD200N15N3GATMA1
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 150V 50A TO252-3Все характеристики

Минимальная цена IPD200N15N3GATMA1 при покупке от 1 шт 445 ₽/шт. Итоговая стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPD200N15N3GATMA1 можно банковской картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IPD200N15N3GATMA1

  • Серия
    OptiMOS™
  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    150 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    50A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    8V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    20mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 90µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    31 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1820 pF @ 75 V
  • Особенности полевого транзистора
    -
  • Рассеивание мощности (Макс)
    150W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PG-TO252-3
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Base Product Number
    IPD200
Техническая документация
 8109919.pdf
pdf. 0 kb
  • 50412 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1+
    445
  • 10+
    370
  • 100+
    294
  • 500+
    266
  • 2500+
    266

Минимально и кратно 1 шт