IPW65R110CFDFKSA1

IPW65R110CFDFKSA1

Минимальная цена IPW65R110CFDFKSA1 при покупке от 1 шт 1701 ₽/шт. Итоговая стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IPW65R110CFDFKSA1 можно банковской картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IPW65R110CFDFKSA1

  • Серия
    CoolMOS™
  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    650 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    31.2A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    110mOhm @ 12.7A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 1.3mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    118 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3240 pF @ 100 V
  • Особенности полевого транзистора
    -
  • Рассеивание мощности (Макс)
    277.8W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    PG-TO247-3-1
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    IPW65R110
Техническая документация
 8045392.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Минимально и кратно 1 шт