IRF6613TR1PBF

IRF6613TR1PBF

Минимальная цена IRF6613TR1PBF при покупке от шт ₽/шт. Итоговая стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRF6613TR1PBF можно банковской картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IRF6613TR1PBF

  • Серия
    HEXFET®
  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    23A (Ta), 150A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.4mOhm @ 23A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.25V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    63 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    5950 pF @ 15 V
  • Особенности полевого транзистора
    -
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.8W (Ta), 89W (Tc)
  • Рабочая температура
    -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    DIRECTFET™ MT
  • Корпус
    DirectFET™ Isometric MT
Техническая документация
 8107816.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Минимально и кратно шт