CDEK

Additional Resources

Super Admin

Infineon

<p>Одиночные полевые транзисторы (Field-Effect Transistors, FETs) являются основными компонентами в электронике, используемыми для усиления и переключения электронных сигналов. Эти транзисторы управляются напряжением, приложенным к их затвору, что позволяет контролировать ток, протекающий между истоком и стоком.</p>
<Strong>Ключевые характеристики одиночных полевых транзисторов включают:</Strong>
<ul>
<li>максимальное напряжение сток-исток (Vds);</li>
<li>максимальный ток стока (Id);</li>
<li>сопротивление канала в открытом состоянии (Rds(on));</li>
<li>пороговое напряжение затвора (Vgs(th));</li>
<li>мощность рассеивания (Pd).</li>
</ul>
<h3>Применение одиночных полевых транзисторов</h3>
<p>Одиночные полевые транзисторы используются в широком спектре приложений, от маломощных схем управления до высокомощных приложений в силовой электронике. Они находят применение в усилителях, переключающих устройствах, регуляторах мощности, источниках питания, системах управления двигателями и многих других областях.</p>
<p>Одиночные полевые транзисторы широко используются в различных областях электроники благодаря их способности управлять большими токами и напряжениями при относительно низком энергопотреблении. Они служат важным компонентом в усилителях и аналоговых схемах, где они помогают усиливать слабые сигналы.</p>
<p>В цифровых схемах полевые транзисторы используются как переключатели, управляя потоком электрического тока. В силовой электронике они находят применение в инверторах и преобразователях для управления энергией. Кроме того, полевые транзисторы играют важную роль в системах управления двигателями и нагрузками, обеспечивая эффективное и точное управление мощностью.</p>
<h3>Совместимость и интеграция одиночных полевых транзисторов</h3>
<p>При интеграции одиночных полевых транзисторов в электронные схемы важно учитывать их электрические параметры, чтобы обеспечить совместимость с другими компонентами и достичь желаемых характеристик схемы. Выбор транзистора с подходящими значениями напряжения, тока, сопротивления и порогового напряжения критически важен для обеспечения правильной работы устройства.</p>
<p>Также необходимо рассмотреть тепловые характеристики транзистора и обеспечить адекватный теплоотвод, особенно в приложениях с высокой мощностью, чтобы предотвратить перегрев и обеспечить надежную работу компонента. Использование одиночных полевых транзисторов позволяет разработчикам создавать гибкие и эффективные электронные схемы, обеспечивая управление мощностью, усиление и переключение в различных электронных устройствах и системах.</p>

FETs - Single

Полевые транзисторы - Одиночные

N-Channel 100 V 375A (Tc) 3.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DirectFET&#8482; Isometric L8

IRF7769L2TRPBF

IRF7769L2TRPBF

Характеристики IRF7769L2TRPBF