IRF7779L2TRPBF

IRF7779L2TRPBF

Минимальная цена IRF7779L2TRPBF при покупке от 1 шт 1333 ₽/шт. Итоговая стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRF7779L2TRPBF можно банковской картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IRF7779L2TRPBF

  • Серия
    HEXFET®
  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    150 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    67A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11mOhm @ 40A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    150 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    6660 pF @ 25 V
  • Особенности полевого транзистора
    -
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.3W (Ta), 125W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    DirectFET™ Isometric L8
  • Корпус
    DirectFET™ Isometric L8
  • Base Product Number
    IRF7779
Техническая документация
 8080953.pdf
pdf. 0 kb
  • 4142 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1+
    1 333
  • 10+
    1 120
  • 100+
    906
  • 500+
    805
  • 1000+
    689

Минимально и кратно 1 шт