IRFBE30PBF

IRFBE30PBF

Минимальная цена IRFBE30PBF при покупке от 1 шт 260 ₽/шт. Итоговая стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRFBE30PBF можно банковской картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IRFBE30PBF

  • Серия
    -
  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    800 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4.1A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3Ohm @ 2.5A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    78 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1300 pF @ 25 V
  • Особенности полевого транзистора
    -
  • Рассеивание мощности (Макс)
    125W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    IRFBE30
Техническая документация
 6092727.pdf
pdf. 0 kb
  • 559 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1+
    260
  • 3+
    230
  • 10+
    203
  • 50+
    190
  • 250+
    178

Минимально и кратно 1 шт