IRFH6200TRPBF

IRFH6200TRPBF

Минимальная цена IRFH6200TRPBF при покупке от 1 шт 423 ₽/шт. Итоговая стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRFH6200TRPBF можно банковской картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IRFH6200TRPBF

  • Серия
    HEXFET®
  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    49A (Ta), 100A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    2.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    0.95mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.1V @ 150µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    230 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±12V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    10890 pF @ 10 V
  • Особенности полевого транзистора
    -
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.6W (Ta), 156W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-PQFN (5x6)
  • Корпус
    8-PowerVDFN
  • Base Product Number
    IRFH6200
Техническая документация
 8141780.pdf
pdf. 0 kb
  • 13972 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1+
    423
  • 10+
    352
  • 100+
    281
  • 500+
    237
  • 1000+
    201

Минимально и кратно 1 шт