IRFI830G

IRFI830G

Минимальная цена IRFI830G при покупке от шт ₽/шт. Итоговая стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRFI830G можно банковской картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IRFI830G

  • Серия
    -
  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3.1A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    1.5Ohm @ 1.9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    38 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    610 pF @ 25 V
  • Особенности полевого транзистора
    -
  • Рассеивание мощности (Макс)
    35W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220-3
  • Корпус
    TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
  • Base Product Number
    IRFI830
Техническая документация
 3588294.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Минимально и кратно шт