IRFZ34NSTRRPBF

IRFZ34NSTRRPBF

Минимальная цена IRFZ34NSTRRPBF при покупке от 800 шт 97 ₽/шт. Итоговая стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRFZ34NSTRRPBF можно банковской картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IRFZ34NSTRRPBF

  • Серия
    HEXFET®
  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    55 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    29A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    40mOhm @ 16A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    34 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    700 pF @ 25 V
  • Особенности полевого транзистора
    -
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.8W (Ta), 68W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D2PAK
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Техническая документация
 8083869.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Минимально и кратно 800 шт