CDEK

Additional Resources

Super Admin

Littelfuse

<p>Модули IGBT (биполярные транзисторы с изолированным затвором) представляют собой комплексные устройства, в которых объединены несколько IGBT транзисторов и часто дополнительные компоненты, такие как диоды быстрого восстановления, в едином корпусе. Эти модули разработаны для управления высокими напряжениями и токами, обеспечивая при этом высокую скорость переключения и эффективное управление мощностью в различных приложениях.</p>
<p>Ключевые характеристики модулей IGBT включают максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vce), максимальный ток коллектора (Ic), сопротивление в открытом состоянии (Vce(sat)), максимальную рабочую частоту и общую мощность рассеивания. Эти параметры определяют применимость модуля в конкретных условиях эксплуатации.</p>
<h3>Применение модулей IGBT</h3>
<p>Модули IGBT используются в широком диапазоне приложений, требующих эффективного управления большими энергопотоками. Они нашли широкое применение в силовой электронике, промышленных приводах, системах регенеративного торможения, источниках бесперебойного питания, а также в секторе возобновляемой энергетики.</p>
<Strong>Ключевые области применения модулей IGBT:</Strong>
<ul>
<li>преобразователи частоты в промышленных приводах;</li>
<li>системы электропитания и инверторы для возобновляемой энергии;</li>
<li>источники бесперебойного питания;</li>
<li>тяговые системы в электротранспорте.</li>
</ul>
<h3>Совместимость и интеграция модулей IGBT</h3>
<p>При интеграции модулей IGBT в системы необходимо учитывать их электрические и тепловые характеристики для обеспечения совместимости и оптимальной работы. Важно выбирать модули с подходящими напряжением и током, соответствующими требованиям приложения, а также обеспечить адекватный теплоотвод.</p>
<p>Эффективный теплоотвод критически важен для предотвращения перегрева и продления срока службы модуля. В некоторых случаях может потребоваться использование дополнительных радиаторов или систем охлаждения. Кроме того, необходимо обеспечить правильное управление затвором для предотвращения неожиданных переходных процессов и обеспечения надежной работы.</p>
<p>Использование модулей IGBT позволяет упрощать конструкцию устройств, повышать их надежность и эффективность, обеспечивая при этом высокую производительность в управлении мощностью для различных промышленных и коммерческих приложений.</p>

IGBTs - Modules

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули

IGBT Module Half Bridge 1200 V 210 A 1100 W Chassis Mount D3

Транзистор: IGBT MODULE 1200V 210A 1100W D3

MG12150D-BA1MM

MG12150D-BA1MM

Характеристики MG12150D-BA1MM