NDD02N60Z-1G

NDD02N60Z-1G

Минимальная цена NDD02N60Z-1G при покупке от 1025 шт 63 ₽/шт. Итоговая стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить NDD02N60Z-1G можно банковской картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики NDD02N60Z-1G

  • Серия
    -
  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.2A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    4.8Ohm @ 1A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4.5V @ 50µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    10.1 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    274 pF @ 25 V
  • Особенности полевого транзистора
    -
  • Рассеивание мощности (Макс)
    57W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    I-PAK
  • Корпус
    TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Base Product Number
    NDD02
Техническая документация
 3075518.pdf
pdf. 0 kb
  • 369185 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1025+
    63

Минимально и кратно 1025 шт