S29GL256S10TFIV20 микросхема памяти, FLASH - NOR, 256Мбит, Parallel, 1.65В ~ 3.6В

S29GL256S10TFIV20 Infineon Technologies микросхема: Это интегральная схема флэш-памяти объемом 256 Мбит (32 МБ) параллельного интерфейса. Она представлена в корпусе 56 TSOP (thin small outline package).

• Основные параметры:
• Объем памяти: 256 Мбит (32 МБ)
• Интерфейс: параллельный
• Количество линий данных: 8
• Напряжение питания: 2,7 В - 3,6 В
• Частота работы: до 25 МГц
• Плюсы:
• Высокая скорость доступа к данным
• Устойчивость к воздействию электромагнитных полей
• Долгий срок службы
• Низкое энергопотребление
• Минусы:
• Требует более сложной аппаратной реализации по сравнению с последовательными интерфейсами
• Снижает плотность размещения компонентов из-за большего количества выводов
• Общее назначение:
• Хранение программного обеспечения и конфигурационной информации
• Загрузка и выполнение кода в реальном времени
• Сохранение настроек и параметров устройств
• В каких устройствах применяется:
• Компьютеры и серверы для хранения операционной системы и приложений
• Электронные таблицы и другие офисные приложения
• Системы управления базами данных
• Программное обеспечение для промышленного оборудования
• Автомобильные системы управления двигателем и навигацией