SI1032R-T1-GE3

SI1032R-T1-GE3

Минимальная цена SI1032R-T1-GE3 при покупке от 3 шт 60 ₽/шт. Итоговая стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI1032R-T1-GE3 можно банковской картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SI1032R-T1-GE3

  • Серия
    TrenchFET®
  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    140mA (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    5Ohm @ 200mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    0.75 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±6V
  • Особенности полевого транзистора
    -
  • Рассеивание мощности (Макс)
    250mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SC-75A
  • Корпус
    SC-75, SOT-416
  • Base Product Number
    SI1032
Техническая документация
 3597466.pdf
pdf. 0 kb
  • 2975 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 3+
    60
  • 25+
    54
  • 100+
    47
  • 500+
    42.4
  • 3000+
    39.6

Минимально и кратно 3 шт