SI2308BDS-T1-GE3

SI2308BDS-T1-GE3

Минимальная цена SI2308BDS-T1-GE3 при покупке от 1 шт 115 ₽/шт. Итоговая стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI2308BDS-T1-GE3 можно банковской картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SI2308BDS-T1-GE3

  • Серия
    TrenchFET®
  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.3A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    156mOhm @ 1.9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    6.8 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    190 pF @ 30 V
  • Особенности полевого транзистора
    -
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.09W (Ta), 1.66W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    SI2308
Техническая документация
 1443393.pdf
pdf. 0 kb
  • 24537 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1+
    115
  • 10+
    91
  • 100+
    72
  • 500+
    53
  • 3000+
    40

Минимально и кратно 1 шт