SI2315BDS-T1-E3

SI2315BDS-T1-E3

Минимальная цена SI2315BDS-T1-E3 при покупке от 1 шт 108 ₽/шт. Итоговая стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI2315BDS-T1-E3 можно банковской картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SI2315BDS-T1-E3

  • Серия
    TrenchFET®
  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    12 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    3A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    50mOhm @ 3.85A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    900mV @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    15 nC @ 4.5 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    715 pF @ 6 V
  • Особенности полевого транзистора
    -
  • Рассеивание мощности (Макс)
    750mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    SI2315
Техническая документация
 1440359.pdf
pdf. 0 kb
  • 5073 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1+
    108
  • 25+
    72
  • 250+
    62
  • 1000+
    50

Минимально и кратно 1 шт