SI2319DS-T1-E3

SI2319DS-T1-E3

Минимальная цена SI2319DS-T1-E3 при покупке от 1 шт 219 ₽/шт. Итоговая стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI2319DS-T1-E3 можно банковской картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SI2319DS-T1-E3

  • Серия
    TrenchFET®
  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2.3A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    82mOhm @ 3A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    17 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    470 pF @ 20 V
  • Особенности полевого транзистора
    -
  • Рассеивание мощности (Макс)
    750mW (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    SI2319
Техническая документация
 3600615.pdf
pdf. 0 kb
  • 4062 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1+
    219
  • 5+
    128
  • 25+
    115
  • 100+
    102
  • 500+
    91

Минимально и кратно 1 шт