SI2365EDS-T1-GE3

SI2365EDS-T1-GE3

Минимальная цена SI2365EDS-T1-GE3 при покупке от 5 шт 33.7 ₽/шт. Итоговая стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI2365EDS-T1-GE3 можно банковской картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SI2365EDS-T1-GE3

  • Серия
    TrenchFET®
  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    5.9A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    32mOhm @ 4A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    36 nC @ 8 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Особенности полевого транзистора
    -
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1W (Ta), 1.7W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-23-3 (TO-236)
  • Корпус
    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Product Number
    SI2365
Техническая документация
 6073266.pdf
pdf. 0 kb
  • 4550 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 5+
    33.7
  • 25+
    26
  • 100+
    23
  • 500+
    20.6
  • 3000+
    19.3

Минимально и кратно 5 шт