SI4174DY-T1-GE3

SI4174DY-T1-GE3

Минимальная цена SI4174DY-T1-GE3 при покупке от 1 шт 216 ₽/шт. Итоговая стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI4174DY-T1-GE3 можно банковской картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SI4174DY-T1-GE3

  • Серия
    TrenchFET®
  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    17A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    9.5mOhm @ 10A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    27 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    985 pF @ 15 V
  • Особенности полевого транзистора
    -
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.5W (Ta), 5W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-SOIC
  • Корпус
    8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Base Product Number
    SI4174
Техническая документация
 3589398.pdf
pdf. 0 kb
  • 2102 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1+
    216
  • 5+
    124
  • 25+
    108
  • 100+
    97
  • 500+
    90

Минимально и кратно 1 шт