SI5513CDC-T1-GE3

SI5513CDC-T1-GE3

  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SI5513CDC-T1-GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N/P-CH 20V 4A 1206-8Все характеристики

Минимальная цена SI5513CDC-T1-GE3 при покупке от 1 шт 130 ₽/шт. Итоговая стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI5513CDC-T1-GE3 можно банковской картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SI5513CDC-T1-GE3

  • Серия
    TrenchFET®
  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N and P-Channel
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    4A, 3.7A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    55mOhm @ 4.4A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    4.2nC @ 5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    285pF @ 10V
  • Рассеивание мощности
    3.1W
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    8-SMD, Flat Lead
  • Исполнение корпуса
    1206-8 ChipFET™
  • Base Product Number
    SI5513
Техническая документация
 6068461.pdf
pdf. 0 kb
  • 9000 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1+
    130
  • 100+
    77
  • 1000+
    49
  • 6000+
    41
  • 30000+
    37.6

Минимально и кратно 1 шт