SI7101DN-T1-GE3

SI7101DN-T1-GE3

Минимальная цена SI7101DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 256 ₽/шт. Итоговая стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI7101DN-T1-GE3 можно банковской картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SI7101DN-T1-GE3

  • Серия
    TrenchFET®
  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    35A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    7.2mOhm @ 15A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    102 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    3595 pF @ 15 V
  • Особенности полевого транзистора
    -
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.7W (Ta), 52W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® 1212-8
  • Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Base Product Number
    SI7101
Техническая документация
 3588153.pdf
pdf. 0 kb
  • 10903 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1+
    256
  • 10+
    209
  • 500+
    138
  • 3000+
    106
  • 9000+
    96

Минимально и кратно 1 шт