SI7172DP-T1-GE3

SI7172DP-T1-GE3

  • Производитель:
    Vishay Siliconix
  • Артикул:
    SI7172DP-T1-GE3
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8Все характеристики

Минимальная цена SI7172DP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 577 ₽/шт. Итоговая стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI7172DP-T1-GE3 можно банковской картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SI7172DP-T1-GE3

  • Серия
    TrenchFET®
  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    200 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    25A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    6V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    70mOhm @ 5.9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    77 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    2250 pF @ 100 V
  • Особенности полевого транзистора
    -
  • Рассеивание мощности (Макс)
    5.4W (Ta), 96W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® SO-8
  • Корпус
    PowerPAK® SO-8
  • Base Product Number
    SI7172
Техническая документация
 3606995.pdf
pdf. 0 kb
  • 7143 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1+
    577
  • 10+
    479
  • 100+
    381
  • 500+
    323
  • 1000+
    274

Минимально и кратно 1 шт