SIB452DK-T1-GE3

SIB452DK-T1-GE3

Минимальная цена SIB452DK-T1-GE3 при покупке от 1 шт 163 ₽/шт. Итоговая стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIB452DK-T1-GE3 можно банковской картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SIB452DK-T1-GE3

  • Серия
    TrenchFET®
  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    190 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1.5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.4Ohm @ 500mA, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    6.5 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±16V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    135 pF @ 50 V
  • Особенности полевого транзистора
    -
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.4W (Ta), 13W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® SC-75-6
  • Корпус
    PowerPAK® SC-75-6
  • Base Product Number
    SIB452
Техническая документация
 1440081.pdf
pdf. 0 kb
  • 47743 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1+
    163
  • 100+
    98
  • 1000+
    69
  • 6000+
    59
  • 30000+
    54

Минимально и кратно 1 шт