SIHP16N50C-E3

SIHP16N50C-E3

Минимальная цена SIHP16N50C-E3 при покупке от 1 шт 1216 ₽/шт. Итоговая стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIHP16N50C-E3 можно банковской картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SIHP16N50C-E3

  • Серия
    -
  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    16A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    380mOhm @ 8A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    68 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1900 pF @ 25 V
  • Особенности полевого транзистора
    -
  • Рассеивание мощности (Макс)
    250W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-220AB
  • Корпус
    TO-220-3
  • Base Product Number
    SIHP16
Техническая документация
 625039.pdf
pdf. 0 kb
  • 963 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1+
    1 216
  • 50+
    964
  • 100+
    826
  • 500+
    734
  • 1000+
    629

Минимально и кратно 1 шт