SIRA10BDP-T1-GE3

SIRA10BDP-T1-GE3

Минимальная цена SIRA10BDP-T1-GE3 при покупке от 1 шт 114 ₽/шт. Итоговая стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIRA10BDP-T1-GE3 можно банковской картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SIRA10BDP-T1-GE3

  • Серия
    TrenchFET® Gen IV
  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    30A (Ta), 60A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3.6mOhm @ 10A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    36.2 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    +20V, -16V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1710 pF @ 15 V
  • Особенности полевого транзистора
    -
  • Рассеивание мощности (Макс)
    5W (Ta), 43W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® SO-8
  • Корпус
    PowerPAK® SO-8
  • Base Product Number
    SIRA10
Техническая документация
 2161091.pdf
pdf. 0 kb
  • 9435 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1+
    114
  • 100+
    60
  • 1000+
    49

Минимально и кратно 1 шт