SIS443DN-T1-GE3

SIS443DN-T1-GE3

Минимальная цена SIS443DN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 537 ₽/шт. Итоговая стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIS443DN-T1-GE3 можно банковской картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SIS443DN-T1-GE3

  • Серия
    TrenchFET®
  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    40 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    35A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11.7mOhm @ 15A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2.3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    135 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4370 pF @ 20 V
  • Особенности полевого транзистора
    -
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.7W (Ta), 52W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® 1212-8
  • Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Base Product Number
    SIS443
Техническая документация
 2140155.pdf
pdf. 0 kb
  • 2979 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1+
    537
  • 10+
    457
  • 25+
    401
  • 100+
    365
  • 250+
    322

Минимально и кратно 1 шт