SIS892ADN-T1-GE3

SIS892ADN-T1-GE3

Минимальная цена SIS892ADN-T1-GE3 при покупке от 1 шт 231 ₽/шт. Итоговая стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SIS892ADN-T1-GE3 можно банковской картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SIS892ADN-T1-GE3

  • Серия
    TrenchFET®
  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    28A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    33mOhm @ 10A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    19.5 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    550 pF @ 50 V
  • Особенности полевого транзистора
    -
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.7W (Ta), 52W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    PowerPAK® 1212-8
  • Корпус
    PowerPAK® 1212-8
  • Base Product Number
    SIS892
Техническая документация
 2156301.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Минимально и кратно 1 шт