TN0106N3-G

TN0106N3-G

Минимальная цена TN0106N3-G при покупке от 1 шт 258 ₽/шт. Итоговая стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить TN0106N3-G можно банковской картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики TN0106N3-G

  • Серия
    -
  • Package
    Bag
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    60 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    350mA (Tj)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    3Ohm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    2V @ 500µA
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    60 pF @ 25 V
  • Особенности полевого транзистора
    -
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-92-3
  • Корпус
    TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Base Product Number
    TN0106
Техническая документация
 2170988.pdf
pdf. 0 kb
  • 99 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1+
    258
  • 5+
    229
  • 25+
    188
  • 100+
    173

Минимально и кратно 1 шт