CDEK

Additional Resources

Super Admin

Rohm Semiconductor

<p>Массивы биполярных транзисторов (BJT) представляют собой интегрированные схемы, содержащие несколько биполярных транзисторов в одном корпусе. Эти массивы могут включать как транзисторы одного типа (все NPN или PNP), так и комбинации NPN и PNP. Они предназначены для упрощения схемотехники, экономии пространства на плате и улучшения производительности за счёт согласованности характеристик транзисторов внутри массива.</p>
<Strong>Ключевые характеристики массивов биполярных транзисторов включают:</Strong>
<ul>
<li>коллектор-эмиттерное напряжение (Vceo). Максимальное напряжение, которое транзисторы могут выдержать между коллектором и эмиттером;</li>
<li>ток коллектора (Ic). Максимальный ток, который могут пропустить транзисторы;</li>
<li>коэффициент усиления по току (hFE или β). Отношение тока коллектора к току базы для транзисторов в массиве;</li>
<li>напряжение насыщения (Vce(sat)). Напряжение между коллектором и эмиттером при полной насыщенности транзистора и максимальном токе коллектора.</li>
</ul>
<h3>Применение массивов биполярных транзисторов</h3>
<p>Массивы BJT (биполярных переходных транзисторов) являются важными компонентами в мире электроники, предоставляя гибкие решения для управления и обработки сигналов в различных приложениях. В цифровой логике эти массивы используются как переключатели или буферы, обеспечивая необходимую функциональность для управления логическими операциями и обработки данных в цифровых схемах.</p>
<p>В области управления нагрузкой BJT применяются для управления различными типами нагрузок, такими как светодиоды, маломощные моторы или другие устройства, позволяя контролировать их работу с высокой точностью и эффективностью. В аналоговых схемах массивы BJT находят применение в усилителях и генераторах сигналов, где они используются для усиления или генерации аналоговых сигналов, обеспечивая при этом высокую точность и стабильность процессов.</p>
<p>В интерфейсных схемах эти транзисторы играют ключевую роль в согласовании уровней напряжения между различными частями электронной системы, обеспечивая надежную и эффективную передачу сигналов между компонентами с различными электрическими характеристиками.</p>
<h3>Интеграция и использование</h3>
<p>При интеграции массивов BJT в электронные устройства важно учитывать их электрические характеристики и совместимость с другими компонентами схемы. Необходимо обеспечить адекватный теплоотвод, так как транзисторы в массиве могут генерировать значительное количество тепла при проведении тока.</p>
<p>Также важно учитывать логику управления транзисторами в массиве и обеспечить соответствующее смещение для каждого транзистора, чтобы достичь желаемого режима работы.</p>

Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays

Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы

Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz 150mW Surface Mount UMT6

UMH3NFHATN

UMH3NFHATN

Характеристики UMH3NFHATN