FQD1N60TM

FQD1N60TM

Минимальная цена FQD1N60TM при покупке от 888 шт 74 ₽/шт. Итоговая стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить FQD1N60TM можно банковской картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики FQD1N60TM

  • Серия
    QFET®
  • Package
    Bulk
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    11.5Ohm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    6 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    150 pF @ 25 V
  • Особенности полевого транзистора
    -
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2.5W (Ta), 30W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-252, (D-Pak)
  • Корпус
    TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • 4980 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 888+
    74

Минимально и кратно 888 шт