IRF530NSTRLPBF

IRF530NSTRLPBF

  • Производитель:
    INFINEON TECHNOLOGIES
  • Артикул:
    IRF530NSTRLPBF
  • Описание:
    Транзистор: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAKВсе характеристики

Минимальная цена IRF530NSTRLPBF при покупке от 1 шт 165 ₽/шт. Итоговая стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IRF530NSTRLPBF можно банковской картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IRF530NSTRLPBF

  • Серия
    HEXFET®
  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    100 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    17A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    90mOhm @ 9A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    37 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    920 pF @ 25 V
  • Особенности полевого транзистора
    -
  • Рассеивание мощности (Макс)
    3.8W (Ta), 70W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    D2PAK
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    IRF530
Техническая документация
 8087873.pdf
pdf. 0 kb
  • 596 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1+
    165
  • 5+
    138
  • 25+
    122
  • 100+
    110
  • 800+
    102

Минимально и кратно 1 шт