IXFH26N60P

IXFH26N60P

Минимальная цена IXFH26N60P при покупке от 1 шт 1802 ₽/шт. Итоговая стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXFH26N60P можно банковской картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IXFH26N60P

  • Серия
    HiPerFET™, Polar
  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    600 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    26A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    270mOhm @ 500mA, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 4mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    72 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    4150 pF @ 25 V
  • Особенности полевого транзистора
    -
  • Рассеивание мощности (Макс)
    460W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Through Hole
  • Исполнение корпуса
    TO-247AD (IXFH)
  • Корпус
    TO-247-3
  • Base Product Number
    IXFH26
Техническая документация
 2900714.pdf
pdf. 0 kb
  • по запросу

Минимально и кратно 1 шт