IXFN100N50P

IXFN100N50P

Минимальная цена IXFN100N50P при покупке от 1 шт 10152 ₽/шт. Итоговая стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXFN100N50P можно банковской картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IXFN100N50P

  • Серия
    HiPerFET™, Polar
  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    90A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    49mOhm @ 50A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    240 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    20000 pF @ 25 V
  • Особенности полевого транзистора
    -
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1040W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Chassis Mount
  • Исполнение корпуса
    SOT-227B
  • Корпус
    SOT-227-4, miniBLOC
  • Base Product Number
    IXFN100
Техническая документация
 2837169.pdf
pdf. 0 kb
  • 316 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1+
    10 152
  • 10+
    9 046
  • 100+
    7 940

Кэшбэк 1 балл