IXTA1R6N50D2

IXTA1R6N50D2

Минимальная цена IXTA1R6N50D2 при покупке от 1 шт 790 ₽/шт. Итоговая стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить IXTA1R6N50D2 можно банковской картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики IXTA1R6N50D2

  • Серия
    Depletion
  • Package
    Tube
  • Тип полевого транзистора
    N-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    500 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    1.6A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    2.3Ohm @ 800mA, 0V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    23.7 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    645 pF @ 25 V
  • Особенности полевого транзистора
    Depletion Mode
  • Рассеивание мощности (Макс)
    100W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    TO-263AA
  • Корпус
    TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Product Number
    IXTA1
Техническая документация
 185639.pdf
pdf. 0 kb
  • 107 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1+
    790
  • 50+
    626
  • 100+
    536
  • 500+
    477
  • 1000+
    408

Минимально и кратно 1 шт