CDEK

Additional Resources

Super Admin

NTE Electronics, Inc

<p>Одиночные биполярные транзисторы (BJT) с интегрированными резисторами представляют собой устройства, которые включают в себя не только сам транзистор, но и один или несколько резисторов в одном корпусе. Эти резисторы могут быть подключены к базе, эмиттеру или коллектору для обеспечения удобства смещения, установления рабочих точек или улучшения устойчивости работы транзистора.</p>
<Strong>Ключевые характеристики включают:</Strong>
<ul>
<li>коллектор-эмиттерное напряжение (Vceo). Максимальное напряжение между коллектором и эмиттером;</li>
<li>ток коллектора (Ic): Максимальный ток, который может протекать через коллектор;</li>
<li>коэффициент усиления по току (hFE или β). Соотношение между током коллектора и током базы;</li>
<li>сопротивление резисторов. Значения резисторов, включенных в корпус с транзистором.</li>
</ul>
<h3>Применение одиночных BJT с резисторами</h3>
<p>Транзисторы могут значительно упрощать схемы и сокращать количество необходимых внешних компонентов благодаря своей функциональности и гибкости. В цифровых схемах они используются как переключатели, управляющие логическими уровнями, что позволяет строить эффективные логические вентили и схемы управления. В усилительных каскадах, как в аудио, так и в RF усилителях, транзисторы обеспечивают стабильное смещение, что критически важно для обеспечения линейности усиления и минимизации искажений.</p>
<p>В защитных схемах транзисторы используются для ограничения тока и защиты устройств от перегрузок, предотвращая повреждение ценных компонентов и увеличивая надежность и долговечность устройств. В интерфейсных цепях транзисторы позволяют подключать различные электронные устройства и системы, обеспечивая необходимые уровни смещения и импеданса для корректной работы системы, что улучшает совместимость и функциональность разнообразных электронных компонентов.</p>
<h3>Интеграция и использование</h3>
<p>При использовании BJT с интегрированными резисторами важно учитывать их характеристики и правильно подключать в схеме, обеспечивая необходимые уровни смещения и работу в нужной рабочей точке. Необходимо также учитывать рассеиваемую мощность и тепловой режим, чтобы избежать перегрева и повреждения транзистора. Использование таких транзисторов позволяет уменьшить размер печатной платы и количество компонентов, упрощая сборку и повышая надежность электронных устройств.</p>

Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased

Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами

Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 MHz 300 mW Through Hole TO-92S

Транзистор: T-NPN SI W/22K RESISTOR

NTE2357

NTE2357

Характеристики NTE2357