SI3417DV-T1-GE3

SI3417DV-T1-GE3

Минимальная цена SI3417DV-T1-GE3 при покупке от 1 шт 88 ₽/шт. Итоговая стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI3417DV-T1-GE3 можно банковской картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SI3417DV-T1-GE3

  • Серия
    TrenchFET®
  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    30 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    8A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    4.5V, 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    25.2mOhm @ 7.3A, 10V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    50 nC @ 10 V
  • Vgs (Max)
    ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    1350 pF @ 15 V
  • Особенности полевого транзистора
    -
  • Рассеивание мощности (Макс)
    2W (Ta), 4.2W (Tc)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    6-TSOP
  • Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Base Product Number
    SI3417
Техническая документация
 6074865.pdf
pdf. 0 kb
  • 16681 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1+
    88
  • 100+
    52
  • 1000+
    33
  • 6000+
    28
  • 30000+
    25.5

Минимально и кратно 1 шт