SI3900DV-T1-E3

SI3900DV-T1-E3

Минимальная цена SI3900DV-T1-E3 при покупке от 1 шт 155 ₽/шт. Итоговая стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI3900DV-T1-E3 можно банковской картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SI3900DV-T1-E3

  • Серия
    TrenchFET®
  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    2 N-Channel (Dual)
  • Особенности полевого транзистора
    Logic Level Gate
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    2A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    125mOhm @ 2.4A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    1.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    4nC @ 4.5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
    -
  • Рассеивание мощности
    830mW
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Корпус
    SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
  • Исполнение корпуса
    6-TSOP
  • Base Product Number
    SI3900
Техническая документация
 3589106.pdf
pdf. 0 kb
  • 38630 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1+
    155
  • 100+
    93
  • 1000+
    66
  • 6000+
    56
  • 30000+
    51

Минимально и кратно 1 шт