SI6423DQ-T1-GE3

SI6423DQ-T1-GE3

Минимальная цена SI6423DQ-T1-GE3 при покупке от 1 шт 359 ₽/шт. Итоговая стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить SI6423DQ-T1-GE3 можно банковской картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики SI6423DQ-T1-GE3

  • Серия
    TrenchFET®
  • Package
    Tape & Reel (TR)
  • Package
    Cut Tape (CT)
  • Package
    Digi-Reel®
  • Тип полевого транзистора
    P-Channel
  • Технология
    MOSFET (Metal Oxide)
  • Напряжение сток-исток ( (Vdss)
    12 V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
    8.2A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
    1.8V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs
    8.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
  • Пороговое напряжение включения Vgs(th) (Макс) @ Id
    800mV @ 400µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
    110 nC @ 5 V
  • Vgs (Max)
    ±8V
  • Особенности полевого транзистора
    -
  • Рассеивание мощности (Макс)
    1.05W (Ta)
  • Рабочая температура
    -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Вид монтажа
    Surface Mount
  • Исполнение корпуса
    8-TSSOP
  • Корпус
    8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • Base Product Number
    SI6423
Техническая документация
 3586609.pdf
pdf. 0 kb
  • 7488 шт
    5-6 недель
  • Количество
    Цена
  • 1+
    359
  • 10+
    298
  • 100+
    237
  • 500+
    201
  • 3000+
    162

Минимально и кратно 1 шт