Эиком
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Кешбэк
  • Контакты

Войдите в профиль

Вы можете отслеживать статусы заказов и получать персональные предложения

Москва


Каталог товаров
Как заказать
О компании

8 800 550-00-22

info@eicom.ru

ДоставкаОплатаКешбэкКонтакты

Загрузить BOM

ЭикомЭиком
ИзбранноеСравнениеКорзинаВход/Регистрация
home
Главная
catalog
Каталог
cart
Корзина
favorites
Избранное
profile
Войти
Каталог товаров
Дискретные полупроводники
Высокочастотные полевые транзисторы
BLF6G22L-40BN,112
BLF6G22L-40BN,112

BLF6G22L-40BN,112

;

* Изображение является ознакомительным. Точные технические характеристики следует изучить в техническом паспорте изделия.
  • Артикул:
    BLF6G22L-40BN,112
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1112AВсе характеристики

Минимальная цена BLF6G22L-40BN,112 при покупке от шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLF6G22L-40BN,112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BLF6G22L-40BN,112

  • Тип транзистора
    LDMOS (Dual), Common Source
    Тип транзистора LDMOS (Dual), Common Source
  • Частота
    2.11GHz ~ 2.17GHz
    Частота 2.11GHz ~ 2.17GHz
  • Усиление
    19dB
    Усиление 19dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
    Тестовое напряжение 28 V
  • Тестовый ток
    345 mA
    Тестовый ток 345 mA
  • Мощность передачи
    2.5W
    Мощность передачи 2.5W
  • Нормальное напряжение
    65 V
    Нормальное напряжение 65 V
  • Корпус
    SOT-1112A
    Корпус SOT-1112A
  • Исполнение корпуса
    CDFM6
    Исполнение корпуса CDFM6
  • Base Product Number
    BLF6G22
    Base Product Number BLF6G22
Техническая документация
 BLF6G22L-40BN,112.pdf
pdf. 0 kb
  • В избранное
  • В сравнение
  • по запросу

Кешбэк 1 балл

Авторизируйтесь, чтобы
получить кешбэк баллы

  • В избранное
  • В сравнение
  • Артикул:
    BLF6G22L-40BN,112
  • Описание:
    Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1112AВсе характеристики

Минимальная цена BLF6G22L-40BN,112 при покупке от шт 0.00 ₽/шт. Стоимость зависит от количества электронных компонентов. Купить BLF6G22L-40BN,112 с бесплатной доставкой можно картой онлайн или по безналичному расчету.

Выбрано: Показать

Характеристики BLF6G22L-40BN,112

  • Тип транзистора
    LDMOS (Dual), Common Source
    Тип транзистора LDMOS (Dual), Common Source
  • Частота
    2.11GHz ~ 2.17GHz
    Частота 2.11GHz ~ 2.17GHz
  • Усиление
    19dB
    Усиление 19dB
  • Тестовое напряжение
    28 V
    Тестовое напряжение 28 V
  • Тестовый ток
    345 mA
    Тестовый ток 345 mA
  • Мощность передачи
    2.5W
    Мощность передачи 2.5W
  • Нормальное напряжение
    65 V
    Нормальное напряжение 65 V
  • Корпус
    SOT-1112A
    Корпус SOT-1112A
  • Исполнение корпуса
    CDFM6
    Исполнение корпуса CDFM6
  • Base Product Number
    BLF6G22
    Base Product Number BLF6G22
Техническая документация
 BLF6G22L-40BN,112.pdf
pdf. 0 kb

Похожие товары

Все товары
Похожие товары
    MMRF1312GSR5Транзистор: TRANS 960-1215MHZ 1000W PEAK 50V
    CGHV14250FТранзистор: RF MOSFET HEMT 50V 440162
    BLF1721M8LS200UТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B
    ATF-551M4-TR2IC PHEMT 2GHZ 2.7V 10MA MINIPAK
    BLF882SUТранзистор: RF FET LDMOS 104V 20.6DB SOT502B
    SD2942WТранзистор: IC TRANS RF HF/VHF/UHF M244
    BLF8G20LS-400PVJТранзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1242B
    BLA1011-2,112Транзистор: RF FET LDMOS 75V 16DB SOT538A
    VRF150Транзистор: RF MOSFET N-CHANNEL 50V M174
    BLF8G22LS-200V,112RF FET LDMOS 65V 19DB SOT1244B
    BLF7G27LS-140,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 16DB SOT502B
    MRF5P21240HR6Транзистор: RF 2-ELEMENT, S BAND, N-CHANNEL
    BLF6G20LS-75,118Транзистор: RF FET LDMOS 65V 19DB SOT502B
    MRFG35010AR5Транзистор: RF POWER N-CHANNEL, MOSFET
    BLF8G09LS-400PGWJТранзистор: RF FET LDMOS 65V 20.6DB SOT1242C
    AFT05MS003NT1Транзистор: IC TRANS RF LDMOS
    VRF2933FLТранзистор: MOSFET RF N-CH 170V 30MHZ T2
    BLF6G27-100,112RF FET LDMOS 65V SOT502A
    BF1009SE6327HTSA1Транзистор: MOSFET N-CH 12V 25MA SOT-143
    BLU6H0410L-600P,11Транзистор: RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539A

Мы рекомендуем

Все товары
Мы рекомендуем
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Одиночные
    Тиристоры - TRIACs
    Биполярные транзисторы - Одиночные
    Транзисторы биполярные (BJT) - ВЧ
    Диоды выпрямительные - Сборки
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - массивы
    Транзисторы - Специального назначения
    Транзисторы - программируемые однопереходные
    Тиристоры - SCR - модули
    Диоды Зенера (стабилитроны) - Сборки
    Тиристоры - SCR
    Полевые транзисторы - Одиночные
    Симисторы - Модули
    Транзисторы - IGBT - одиночные
    Диоды выпрямительные - Модули
    Драйверы питания - Модули
    Полевые транзисторы - Модули
    Диоды выпрямительные - Одиночные
    IGBT транзисторы
    Транзисторы - Модули
    Триодные тиристоры - Одиночные
    Биполярные транзисторы - Сборки, С предварительным смещением
    Программируемые однопереходные транзисторы
    Биполярные транзисторы
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы, с резистором
    Принадлежности
    Регулирование тока - диоды, транзисторы
    Тиристоры - динисторы (DIAC, SIDAC)
    Биполярные транзисторы - Сборки
    Диоды - выпрямители - массивы
    Диодные мосты
    Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные, с резисторами
    Диодные мосты - Модули
    Диоды - мостовые выпрямители
    Диоды силовые
    Высокочастотные полевые транзисторы
    Высокочастотные диоды
    Диоды - ВЧ
     Полевые транзисторы с управляющим PN-переходом JFET
    Диоды с переменной емкостью (варикапы, варакторы)
    Полевые транзисторы - Сборки
    Модули драйверов питания
    Варикапы и Варакторы
    Триодные тиристоры - Модули
    Транзисторы - биполярные (BJT) - массивы
    Динисторы (DIAC, SIDAC)
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - одиночные
    Транзисторы - JFET
    Высокочастотные биполярные транзисторы
    Диоды - выпрямители - одиночные
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Сборки
    Транзисторы - IGBT - модули
    Симисторы
    Биполярные транзисторы - Одиночные, С предварительным смещением
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Модули
    Транзисторы - FETs, MOSFETs - ВЧ
    Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - Одиночные
Эиком
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
  • Каталог товаров
  • Доставка
  • Оплата
  • Производители
  • Акции
  • Как купить
  • Кешбэк
  • Как сделать заказ
  • Загрузка BOM-листа
  • Возврат и обмен
  • Состояние заказа
  • О компании
  • Отзывы
  • Новости
  • Вакансии
  • Правовая информация
  • Контакты
8 800 550-00-22
info@eicom.ru
Пн-Пт 9:30 - 17:30
Оставьте оценку на ЯндексеОставьте оценку на Яндексе
Вся информация представленная на данном сайте, не является рекламой и публичной офертой и носит ознакомительный характер. Пользовательское соглашение.
© 2006—2025, «ЭИК» — Электронные компоненты, приборы и радиодетали
  • visa
  • mastercard
  • Мир
  • Система быстрых платежей СБП